陆春一

作品数：11被引量：17H指数：2
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N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
《固体电子学研究与进展》1997年第2期154-157,共4页王向武 马利行 徐红钢 陆春一 
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
关键词：硅外延 异型 高阻 厚层 自掺杂 
减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法
《固体电子学研究与进展》1995年第3期299-301,共3页王向武 陆春一 马利行 
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。
关键词：自掺杂 减压 二步外延 硅 外延生长 
毫米波半导体器件与其外延材料的发展
《半导体杂志》1994年第3期20-29,共10页王向武 陆春一 
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．
关键词：毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料 
X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料
《微电子学》1994年第3期52-56,共5页王向武 陆春一 赵仲镛 
采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。
关键词：崩越二极管 外延生长 材料 硅 
多层硅外延中自掺杂现象研究被引量：6
《固体电子学研究与进展》1994年第3期267-271,共5页王向武 陆春一 
探讨了多层硅外延中的自掺杂现象，研究了自掺杂的产生机理，分析了工艺条件对自掺杂的影响，提出了减小自掺杂的几种方法。
关键词：硅外延 自掺杂 多层结构 
改进的二步法生长双层、异型硅外延材料被引量：5
《固体电子学研究与进展》1994年第1期74-79,共6页王向武 陆春一 赵仲镛 
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件（温度、时间、预通量等）对气一团扩散的影响，提出了减小Ｐ－Ｎ过渡区改进的二步外延法。
关键词：双层 异型 二步法 硅 外延生长 
3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制
《固体电子学研究与进展》1993年第3期238-243,共6页王向武 陆春一 赵仲镛 孙景山 魏广富 
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N^+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。
关键词：双漂移崩越二极管 亚微米 多层外延 
减小硅外延自掺杂的一种新方法被引量：1
《半导体技术》1992年第4期57-58,共2页王向武 陆春一 赵仲镛 
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工艺所...
关键词：硅 外延层 掺杂 衬底 
用于硅双漂移雪崩二极管的n^+/np多层外延材料被引量：5
《稀有金属》1992年第3期218-222,共5页王向武 赵仲镛 陆春一 孙景山 
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低。
关键词：雪崩二极管 外延材料 气相生长 
硅外延中自稀释现象的研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第1期55-60,共6页王向武 陆春一 
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.
关键词：硅 外延生长 稀释现象 
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