崩越二极管

作品数：7被引量：1H指数：1
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相关作者：王向武陆春一吴涛王霄徐金平更多>>
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相关期刊：《半导体杂志》《微电子学》《低温物理学报》《微纳电子技术》更多>>
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太赫兹硅雪崩渡越时间二极管低温特性研究被引量：1
《低温物理学报》2008年第3期203-208,共6页吴涛 祝大龙 徐金平 王霄 
国家自然科学基金(项目编号:60471017,60621002)资助的课题~~
本文给出了准确描述硅雪崩渡越时间二极管工作特性的大信号仿真模型,研究了影响硅雪崩越时间(IMPATT,Impact Avalanche Transit Time)二极管工作状态的离化率和饱和漂移速度.考虑Si-IMPATT二极管热限制的条件下,计算了二极管的最大工作...
关键词：太赫兹 硅崩越二极管 低温 频率特性 功率特性 
毫米波半导体器件与其外延材料的发展
《半导体杂志》1994年第3期20-29,共10页王向武 陆春一 
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．
关键词：毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料 
X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料
《微电子学》1994年第3期52-56,共5页王向武 陆春一 赵仲镛 
采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。
关键词：崩越二极管 外延生长 材料 硅 
8毫米硅连续波崩越二极管
《固体电子学研究与进展》1993年第3期268-273,共6页张文兴 陈水生 金立荣 
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温200～250℃。
关键词：固态功率器件 崩越二极管 漂移 CAD 
3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制
《固体电子学研究与进展》1993年第3期238-243,共6页王向武 陆春一 赵仲镛 孙景山 魏广富 
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N^+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。
关键词：双漂移崩越二极管 亚微米 多层外延 
亚毫米波段硅p^+-p-n^+型崩越二极管
《微纳电子技术》1978年第3期41-47,共7页井野正行 蒲运章 
以硅崩越二极管的高频化为目的,利用载流子扩散效应这一点,作出了有利的空穴漂移型二极管。二极管的杂质分布为p^+-p-n^+型结构,它是在n^-硅上用离子注入及热扩散形成n^+外延层。p^+-p-n^+型结构在衬底的一面具有p-n结,比起从前的n^+-p-...
关键词：千兆赫 杂质分布 串联电阻 毫瓦 输出功率 p-n 二极管 最高振荡频率 
里德型大功率砷化镓崩越二极管
《微纳电子技术》1975年第4期52-52,共1页川舸 
据日本电气公司（NEC）报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9～10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20％。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续功率。此二极管是M—n+—n—n+里德型结构,用铂在具有...
关键词：肖特基势垒 金属-半导体接触 电场分布 外延片 二极管 有源区 
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