8毫米硅连续波崩越二极管  

Ka Band Si CW IMPATT Diode

作　　者：张文兴[1] 陈水生[1] 金立荣 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第3期268-273,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温200～250℃。The design and fabrication of a Ka band Si CW IMPATT diode are introduced in this paper. CW output power levels of 400-800 mW with gold inte-grated heat sink,an efficiency of 5-10 percent and a junction temperature of 200-250℃ have been achieved from DDR IMPATT diode at frequenctes around 35 GHz.

关 键 词：固态功率器件 崩越二极管 漂移 CAD 

分 类 号：TN312.7[电子电信—物理电子学]