陈水生

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8毫米硅连续波崩越二极管
《固体电子学研究与进展》1993年第3期268-273,共6页张文兴 陈水生 金立荣 
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温200～250℃。
关键词：固态功率器件 崩越二极管 漂移 CAD 
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