毫米波半导体器件与其外延材料的发展  

作　　者：王向武[1] 陆春一[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《半导体杂志》1994年第3期20-29,共10页

摘　　要：本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．

关 键 词：毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]