用于硅双漂移雪崩二极管的n^+/np多层外延材料  

作　　者：王向武[1] 赵仲镛 陆春一[1] 孙景山 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《稀有金属》1992年第3期218-222,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低。

关 键 词：雪崩二极管 外延材料 气相生长 

分 类 号：TN312.704[电子电信—物理电子学]