减小硅外延自掺杂的一种新方法  

作　　者：王向武[1] 陆春一[1] 赵仲镛 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《半导体技术》1992年第4期57-58,共2页Semiconductor Technology

摘　　要：本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工艺所得结果。

关 键 词：硅 外延层 掺杂 衬底 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]