复合沟道

作品数：7被引量：9H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：马磊李跃李思敏首照宇李海鸥更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所西安电子科技大学杭州电子科技大学桂林电子科技大学更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《物理学报》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国防科技重点实验室基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第5期409-414,共6页蔡金勇 周琦 罗小蓉 陈万军 范远航 熊佳云 魏杰 杨超 张波 
国家自然科学基金资助项目(61234006;61306102);国家科技重大专项资助项目(2013ZX02308-005)
提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F...
关键词：氮化镓 异质结场效应管晶体管 增强型 复合沟道 
新型结构的HEMT优化设计被引量：1
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2012年第1期14-17,共4页刘剑 程知群 胡莎 周伟坚 
国家自然科学基金资助项目(60776052)
该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随In含量的变化规律。提出了一种新型结构Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN/In0.1Ga0.9N/GaN HEMT,并对栅长0.25μ...
关键词：高速电子迁移率管 线性度 二维电子气 跨导 复合沟道 
高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
《物理学报》2010年第2期1252-1257,共6页程知群 周肖鹏 胡莎 周伟坚 张胜 
国家自然科学基金(批准号:60776052);中国电子集团公司第五十五所国防科技重点实验室基金(批准号:9140C1402030803)资助的课题~~
对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 复合沟道 自洽求解 线性度 
新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文)被引量：3
《红外与毫米波学报》2007年第4期241-245,共5页程知群 蔡勇 刘杰 周玉刚 刘稚美 陈敬 
National Science Foundation of China(60476035)
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提...
关键词：Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声 
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究被引量：1
《物理学报》2007年第7期4117-4121,共5页李潇 张海英 尹军舰 刘亮 徐静波 黎明 叶甜春 龚敏 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究规划(批准号:G2002CB311901)资助的课题.~~
用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性,考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应,重点研究了器件击穿电压随In0.7Ga0.3As沟道厚度的变化关系,提出了提高击穿电压的方法,采用商用器件...
关键词：磷化铟 高电子迁移率晶体管 密度梯度模型 击穿 
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型被引量：2
《物理学报》2006年第7期3617-3621,共5页李潇 刘亮 张海英 尹军舰 李海鸥 叶甜春 龚敏 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究规划资助项目(批准号:G2002CB311901)资助的课题.~~
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integratedsystemsengineering)对其进行了仿真验证,对...
关键词：高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟 
InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
《微纳电子技术》2003年第3期8-10,28,共4页邱凯 张晓娟 陈建炉 
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2....
关键词：InP-HEMT 高电子迁移率晶体管 复合沟道 磷化铟基 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部