刘稚美

作品数：1被引量：3H指数：1
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发文主题：GAAL压控振荡器复合沟道微波单片集成更多>>
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新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文)被引量：3
《红外与毫米波学报》2007年第4期241-245,共5页程知群 蔡勇 刘杰 周玉刚 刘稚美 陈敬 
National Science Foundation of China(60476035)
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提...
关键词：Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声 
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