杨超

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：ALGAN/GAN_HEMT氮化镓复合沟道氟离子增强型更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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高稳定性化学镀铜液的参数优化
《电子元件与材料》2014年第11期47-51,55,共6页杨超 陈金菊 冯哲圣 王大勇 薛文明 
国家自然科学基金资助项目(No.61271040);中央高校基本科研业务费资助项目(No.ZYGX2012J036)
采用单因素实验法,以镀液稳定性、镀速及镀层光亮度为指标,优化了化学镀铜液参数以提高镀液稳定性,并研究了添加剂对镀液电化学极化性能的影响。试验结果表明:随着Cu SO4·5H2O和HCHO浓度的增加,镀液稳定性有所下降;适量的络合剂和稳定...
关键词：化学镀铜液 稳定性 镀速 参数优化 单因素实验 添加剂 
复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第5期409-414,共6页蔡金勇 周琦 罗小蓉 陈万军 范远航 熊佳云 魏杰 杨超 张波 
国家自然科学基金资助项目(61234006;61306102);国家科技重大专项资助项目(2013ZX02308-005)
提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F...
关键词：氮化镓 异质结场效应管晶体管 增强型 复合沟道 
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