云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 罗小蓉

罗小蓉: 作品数：34被引量：66H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：电子科技大学更多>>; 发文主题：导通压降关断损耗槽栅LIGBTSOI更多>>; 发文领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《微电子学》《电子科技大学学报》《电子元件与材料》《电力电子技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划军事电子预研基金更多>>

超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展: 《人工晶体学报》2025年第2期263-275,共13页魏雨夕马昕宇江泽俊魏杰罗小蓉; 稳定专项(WDZC202446003);电子薄膜与集成器件全国重点实验室开放课题项目(KFJJ202306)。; 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材...; 关键词：氧化镓功率半导体器件二极管场效应晶体管电热特性可靠性

一种具有鳍状阳极的垂直GaN功率二极管: 《微电子学》2020年第5期688-693,共6页欧阳东法杨超孙涛邓思宇魏杰张波罗小蓉; 国家自然科学基金资助项目(51677021,61874149);科工局基础性科研院所稳定支持项目(1902N261)。; 针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管。该结构利用阳极金属与GaN半导体之间的功函数差耗尽二极管阳极与阴极之间的导电沟道,实现二极管关断及反向耐压的功能...; 关键词：氮化镓功率二极管鳍状阳极垂直器件

一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET: 《微电子学》2018年第6期815-819,共5页彭富欧阳东法杨超魏杰邓思宇张波罗小蓉; 国家自然科学基金资助项目(51677021;61234006); 针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET。采用Al组分对称渐变的AlGaN势垒层,因极化梯度分别在正向渐变AlGaN层和逆向渐变AlGaN层中诱导产...; 关键词：极化掺杂击穿电压开态电流增强型

槽型SiC MPS二极管的优化设计被引量：2: 《智能电网》2017年第8期790-794,共5页何清源廖天张凯罗小蓉方健王嘉铭杨霏; 国家重点研发计划(2016YFB0400502)~~; 提出一种具有低反向泄漏电流和低导通电阻的SiC MPS二极管,它利用刻槽注入P区的方法突破SiC中P型离子注入深度的限制,同时采用一种新型非均匀原胞拓扑结构提高单极电流。阻断时,槽底注入的P区对肖特基结电场起到更好的屏蔽作用,减小器...; 关键词：SIC 槽 MPS 反向漏电流非均匀原胞导通电阻

SiC MOSFET三维原胞研究与并联优化: 《智能电网》2017年第8期777-780,共4页张凯罗小蓉何清源廖天杨霏王嘉铭方健; 国家重点研发计划(2016YFB0400502)~~; 采用三维数值仿真的方法分别研究SiC MOSFET条形原胞、方形原胞以及六角原胞的电学特性与栅氧化层电场分布;提出SiC MOSFET方形原胞新并联方案,相比传统的方形原胞阵列,新方案可有效降低器件栅氧电场峰值,达到与六角原胞接近的效果。新...; 关键词：SIC MOSFET 原胞三维仿真栅氧电场

复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2014年第5期409-414,共6页蔡金勇周琦罗小蓉陈万军范远航熊佳云魏杰杨超张波; 国家自然科学基金资助项目(61234006;61306102);国家科技重大专项资助项目(2013ZX02308-005); 提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F...; 关键词：氮化镓异质结场效应管晶体管增强型复合沟道

高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计被引量：4: 《物理学报》2013年第23期313-319,共7页王骁玮罗小蓉尹超范远航周坤范叶蔡金勇罗尹春张波李肇基; 国家自然科学基金(批准号:61176069);中国博士后科学基金(批准号:2012T50771);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-0062)资助的课题~~; 本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理.HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,反向阻断时,高k介质对漂移区进行自适应辅助耗尽,实现漂移区三维RESURF效应并调制电场,因而提高器件耐压...; 关键词：高k介质绝缘体上硅 (SOI) 击穿电压比导通电阻

一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS: 《微电子学》2008年第6期869-872,共4页廖红张伟罗小蓉张波李肇基顾晶晶; 国家自然科学基金重点资助项目(60436030); 提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用DoubleRESURF技术,在漂移区中引入两区的P降场层,有效降低了器件的比导通电阻,并提高...; 关键词：功率器件埋栅 DOUBLE RESURF S0i LDMOS

高压SOI器件介质场增强: 《电力电子技术》2008年第12期36-38,56,共4页李肇基张波罗小蓉胡盛东; 提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅(Silicon-on-insnlator,简称SOI)高压器件之瓶颈,经过多年研究,总结出了SOI高压器件介质场增强(Enhanced Dielectric Layer Field,简称ENDIF)理论与技术,通过增强介质埋层电场来提高击穿电压。给出增强...; 关键词：电场绝缘/介质场增强高压器件

A New High Voltage SOI Device with a Nonuniform Thickness Drift Region and Its Optimization: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1902-1906,共5页罗小蓉张伟张波李肇基阎斌杨寿国; 国家自然科学基金(批准号:60436030,60806025);电子科技大学青年教师基金(批准号:jx0721)资助项目~~; A new SO1 high-voltage device structure with nonuniform thickness drift region （n-uni SOl） and its optimiza- tion design method are proposed. Owing to the nonuniform thickness drift region, the electric field in the...; 关键词：SOI nonuniform thickness drift region electric field MODULATION high voltage

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