云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 罗尹春

罗尹春: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：电子科技大学更多>>; 发文主题：半导体功率器件槽栅功率半导体器件SOI漂移更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：中国博士后科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>

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高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计被引量：4: 《物理学报》2013年第23期313-319,共7页王骁玮罗小蓉尹超范远航周坤范叶蔡金勇罗尹春张波李肇基; 国家自然科学基金(批准号:61176069);中国博士后科学基金(批准号:2012T50771);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-0062)资助的课题~~; 本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理.HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,反向阻断时,高k介质对漂移区进行自适应辅助耗尽,实现漂移区三维RESURF效应并调制电场,因而提高器件耐压...; 关键词：高k介质绝缘体上硅 (SOI) 击穿电压比导通电阻