埋栅

作品数：18被引量：10H指数：2
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埋栅TCO薄膜的制备及在太阳电池上的应用
《太阳能学报》2021年第7期125-131,共7页王文贤 蔡伦 陈涛 俞健 黄跃龙 沈辉 
国家自然基金青年科研基金(51702269);国家自然科学基金(61774173)。
提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg...
关键词：透明导电氧化物 硫化镉太阳电池 半导体异质结器件 ITO/Ag栅线/ITO 掺铝氧化锌(AZO) 
掩埋栅SITH的优化
《电子世界》2020年第5期109-109,共1页尹东燕 
本文通过介绍掩埋栅SITH存在的优点和不足,提出了优化的掩埋栅型结构,并对其制造工艺进行具体讨论。静电感应晶闸管(SITH)是一种近年来发展起来的大功率两型半导体器件。它具有开关速度快,功率损耗低,动态特性好等优点,因而受到人们的...
关键词：埋栅 电流 SITH 栅极 
一种信息技术设备用光伏电池的设计
《电源技术》2019年第5期823-824,883,共3页王建平 
以常规多晶硅光伏电池为基础,在多晶硅衬底上沉积一层p型非晶硅薄膜,构成具有"窗口效应"的p-p型异质结。该电池无需复杂的生产工艺,只需增加简单的步骤便可实现。研究表明,对于多晶硅光伏电池来说,由于材料禁带宽的差异使得该电池在太...
关键词：窗口效应 异质结 信息技术装备 埋栅 
埋栅型硅基薄膜材料太阳电池的制备
《电源技术》2018年第5期680-682,共3页徐鹏飞 余艳伟 
2015年度河南省政府决策研究招标课题(2015B094)
设计了一种新型的具有环形PN结的埋栅型(CJBE)硅基薄膜太阳电池,利用multisim软件并对其制备工艺及性能进行了研究。研究发现与传统的单结电池相比,制备所得电池的光谱响应性能约提高了45%。当电池的厚度增加时,其短波响应微弱下降,长...
关键词：埋栅型硅基 薄膜太阳电池 结构参数 光谱响应 MULTISIM软件 
掩埋栅太阳电池专利技术综述
《中国科技纵横》2016年第14期240-240,共1页汪灵 李博 薛源 
随着传统的丝网印刷技术得到了不断发展和提高,一种产业化高效电池——埋栅电池也取得了很大的发展和改进掩埋栅太阳电池作为目前普遍使用的太阳能电池类型,其在转化效率、工业生产中均起着举足轻重的作用.本文在以掩埋栅电池为主要研...
关键词：掩埋栅 太阳能电池 专利申请 
硅基环形PN结埋栅薄膜太阳电池的设计与研究被引量：1
《太阳能学报》2016年第1期1-4,共4页王强 顾江 徐影 花国然 
国家自然科学青年基金(51205212);南通大学拔尖人才项目(201106)
设计一种具有环形PN结的埋栅型(circle junction buried electrode,CJBE)硅基薄膜太阳电池及其制备工艺。研究表明:电池的光谱响应性能比传统单结电池提高约40%,电池性能随电池结构参数的变化而变化,随着电池厚度的增大,电池的长波响应...
关键词：薄膜太阳电池 环形PN结 光谱响应 埋栅太阳电池 
太阳能电池的金属化技术被引量：1
《电子工业专用设备》2013年第7期4-6,31,共4页谢振民 陈婧 
在工业生产中,太阳能电池在保证效率的前提下最大限度地降低成本。通过对丝网印刷太阳能电池结构介绍和局限性分析,研究了埋栅太阳能电池用电镀的方法进行产业化的步骤,进而提高太阳能的转化效率。
关键词：太阳电池 丝网印刷太阳电池 埋栅电池 金属化 
同型异质结埋栅太阳电池设计与仿真研究被引量：4
《太阳能学报》2013年第7期1149-1152,共4页王强 孙树叶 张竹青 花国然 
国家自然科学青年基金(51205212);江苏省自然科学基金(BK2008184);南通市应用研究计划(K2010014;BK2011024)
设计了一种具有同型异质结埋栅结构的太阳电池，该电池与类似的多晶硅电池相比，其在400-600nm及大于850nm波段的光谱响应及开路电压增强。通过对全仿真波段光谱响应强度的积分表明，该电池比多晶硅电池光谱响应提高约2％。随着a—Si薄...
关键词：太阳电池 异质结 光谱响应 叠层结构 器件仿真 
栅结构对功率SiC MESFET器件性能的影响
《半导体技术》2013年第5期361-364,共4页李岚 王勇 默江辉 李亮 蔡树军 
报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结构器件,并对三种器件结构进行了仿真优化。对于大功率微波器件,击穿电压和微波性能是判定器件直流及微波...
关键词：SiCMESFET 栅结构 输出功率 凹槽栅 介质埋栅 
台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响
《现代电子技术》2012年第8期175-178,共4页朱筠 
甘肃省自然科学基金(3ZS051-A24-034)
对埋栅型SIT,为切断栅极和源极(或阴极)之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实...
关键词：埋栅型SIT 台面刻蚀 深槽刻蚀 先台后槽 
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