李亮

作品数：25被引量：33H指数：4
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：谐振器滤波器腔体衬底滤波器技术更多>>
发文领域：电子电信农业科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微波学报》《微电子学》《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究
《半导体技术》2023年第12期1103-1107,共5页高渊 宋洁晶 李亮 赵洋 吕鑫 冀子武 
薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射 刻蚀 选择比 腐蚀 
激光雷达用大功率小发散角脉冲激光器被引量：3
《半导体技术》2022年第8期621-624,664,共5页李亮 李扬 彭海涛 王彦照 王爽 付越东 张玉明 
研发了小发散角的900 nm波长四叠层隧道结大功率脉冲激光器芯片,设计了大出光面的四叠层材料结构。对比常规的三叠层隧道结激光器,该结构在垂直方向发散角减小的同时,斜率效率和功率均有大幅提升。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法...
关键词：四叠层 隧道结 大功率 小发散角 激光雷达 
6GHz高频率FBAR滤波器
《半导体技术》2022年第7期549-553,共5页李亮 刘青林 付越东 梁东升 韩易 张玉明 
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步,薄膜体声波谐振器(FBAR)也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸(1英寸=2.54 cm)微电子机械系统(MEMS)工艺平台,设计并实现了一款6 GHz FBAR滤波器。通过有限元仿真与Mason模型仿真,确定...
关键词：滤波器 高频 薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射工艺 微电子机械系统(MEMS) 
高抑制或低插损型卫星导航FBAR芯片设计
《半导体技术》2022年第6期488-492,共5页李亮 张仕强 梁东升 韩易 付越东 张玉明 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)硅基微电子机械系统(MEMS)加工工艺,采用薄膜体声波谐振器(FBAR)的结构,设计并加工了中心频率为1268.52 MHz的两款FBAR滤波器芯片,用于满足北斗卫星导航系统中不同位置的信号处理需求。通过改变电路结构和腔...
关键词：滤波器 薄膜体声波谐振器(FBAR) 微电子机械系统(MEMS) 高带外抑制 低插入损耗 
太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制（英文）被引量：3
《红外与毫米波学报》2018年第2期135-139,共5页王志明 黄辉 胡志富 赵卓彬 崔玉兴 孙希国 李亮 付兴昌 吕昕 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61275107)
研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m ...
关键词：磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 INALAS/INGAAS 在片测试 单片集成电路 
50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制
《半导体技术》2017年第8期603-607,共5页张晓帆 郎秀兰 李亮 李晓东 
分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶...
关键词：硅 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 脉冲 大功率 宽带 千瓦级 
一种微波功率LDMOS器件非线性模型
《电子元件与材料》2016年第6期74-77,共4页冯彬 李静强 胡志富 李亮 
对微波功率LDMOS器件进行测试,提出一种新的非线性模型,通过小信号参数提取,建立LDMOS的小信号模型,对多偏置下本征电容的提取,建立LDMOS本征电容的非线性模型,加入LDMOS的直流IV模型并以此为基础确立了微波功率LDMOS的大信号模型,经过...
关键词：LDMOS 小信号模型 微波 参数提取 大信号模型 LoadPull测试 
太赫兹肖特基二极管噪声电压的理论研究
《微波学报》2015年第5期82-84 88,88,共4页乔海东 李亮 默江辉 郭大路 吕昕 
在太赫兹焦平面成像等系统中,Ga As肖特基二极管作为太赫兹检测的核心器件,其噪声特性直接影响太赫兹探测系统的灵敏度。讨论了Ga As肖特基二极管在不同直流偏压下加载给负载的热噪声电压、散粒噪声电压、总噪声电压,并给出了相应的解...
关键词：太赫兹Ga As 肖特基二极管 偏置电压 热噪声 散粒噪声 噪声电压 
P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制被引量：2
《微电子学》2015年第4期541-544,共4页胡顺欣 何先良 王强栋 梁东升 李飞 邓建国 郎秀兰 李亮 
设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,...
关键词：LDMOS 硅 P波段 窄脉冲 
SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺被引量：1
《半导体技术》2014年第8期600-604,共5页闫锐 李亮 默江辉 崔玉兴 付兴昌 
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最...
关键词：SiC ICP-RIE 浅槽刻蚀 表面粗糙度 刻蚀倾角 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部