栅结构

作品数：101被引量：145H指数：6
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栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
《沈阳理工大学学报》2025年第1期72-77,共6页都继瑶 
辽宁省教育厅高等学校基本科研项目(JYTQN2023044);辽宁省属本科高校基本科研业务费专项资金资助项目。
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa...
关键词：p-GaN/AlGaN/GaN异质结 AlN介质层 常关型器件 金属/绝缘体/半导体 栅极非覆盖区 
TE 30高次模式工作改进型交错栅结构及互作用结构
《微波学报》2025年第1期63-69,共7页刘金亮 张长青 赵士录 蔡军 冯进军 
国家自然科学基金(62131006,61831001,61921002,92163204)。
随着行波管的工作频段不断向太赫兹频段发展,尺寸共渡效应的影响越来越明显,主要表现为慢波结构的横向尺寸和电子注通道的宽度不断减小,不仅造成了加工工艺难度的提升,也导致了工作电流的减小以及耦合阻抗的下降,严重影响了行波管性能,...
关键词：太赫兹 过模 尺寸共渡效应 慢波结构 返波振荡 
紧密栅结构对氦氙混合气体流动换热的影响研究
《核科学与技术》2024年第4期323-332,共10页李杰 周源 康明铭 袁园 黄家坚 
以氦氙(He-Xe)混合气体为冷却剂的布雷顿循环气冷堆被视为兆瓦级空间能源系统中最合理的技术之一。紧密栅具有功率密度高、质量小、结构紧凑等优点,非常适用于气冷空间堆堆芯结构。本研究对He-Xe气体混合物在紧密栅棒束通道内的流动传...
关键词：气冷空间堆 He-Xe混合气体 紧密栅 流动传热特性 
透明类金属网栅导电薄膜研究进展
《包装工程》2024年第23期145-159,共15页田野 黄友奇 彭佳良 张凡 李艳 
目的概述金属网栅透明导电膜层在雷达波测量防护和抗电磁干扰领域的应用,指出其在日常生活中的重要性。同时,指出研究的重点在于提高材料的透明度、隐身能力和屏蔽性能。方法通过介绍金属网栅透明导电膜层的结构,分析了其不同结构的优...
关键词：透明类导电薄膜 金属网栅结构 印刷电子 
工业篦筛格栅结构研究与设计改进
《内蒙古煤炭经济》2024年第21期1-5,共5页刘金华 
在工矿仓储领域,矿石、砂石、焦炭等物料的储仓上部均布置篦筛、格栅,起到阻止大块异物进入仓内、分离物料的作用。常见的钢板焊接、平面布置的网格形式篦子格栅或条状篦筛,存在易磨损、难以维护维修的缺陷。为了提高工业格栅、篦筛的...
关键词：机械 煤炭 篦筛 格栅 篦子 磨损 
铅酸电池正极板栅结构的改进
《电池》2024年第5期693-695,共3页戚红月 董炎军 张巡蒙 苑景春 陈绍林 张育红 
优化电池板栅结构可延长电动自行车用铅酸电池的寿命。对电动自行车用铅酸电池的板栅进行研究,解剖失效电池并对板栅进行分析,发现板栅靠近上部的筋条腐蚀严重,而靠近底部的筋条基本完好。对板栅结构进行设计优化,以均匀板栅电位和优化...
关键词：铅酸电池 板栅 正极板栅 板栅结构 腐蚀 腐蚀均匀性 电池寿命 
随机双线圆环高屏蔽效能金属网栅设计被引量：1
《中国激光》2024年第17期145-154,共10页郭翼 张轩雄 
国家自然科学基金(62276167)。
基于CST软件设计了一种透明的随机双线圆环金属网栅结构,该结构由双线金属网栅结构和圆环金属网栅结构通过一种特定的随机方法组合而成。与传统的方格金属网栅相比,随机双线圆环金属网栅在5~35 GHz范围内的平均电磁干扰屏蔽效能提升了1...
关键词：光学器件 随机双线金属网栅结构 电磁干扰屏蔽 衍射能量分布 遮拦比 
一种较高过栅流速下拦污栅的抗振设计研究被引量：1
《水电站设计》2024年第2期13-20,共8页涂建伟 贾刚 贾海波 刘天德 姚昌杰 
以SW水电站进水口拦污栅为研究对象,研究较高过栅流速下拦污栅的振动特性及其影响因素。基于CATIA平台建立了拦污栅及水电站进水口流道模型,采用ANSYSCFX多相流VOF模型分析了流道流场及拦污栅振动特性。结合工程实践,研究较高过栅流速...
关键词：拦污栅 过栅流速 抗振设计 设计方法 拦污栅结构 
横向增强型双侧栅结构GaN JFET优化设计
《固体电子学研究与进展》2023年第5期375-380,共6页喻晶 缪爱林 徐亮 朱鸿 陈敦军 
提出了一种新型横向双侧栅结构的GaN JFET,并通过SILVACO软件对器件的沟道宽度、沟道电子浓度和p-GaN空穴浓度进行了优化,得到了阈值电压和输出电流与器件参数之间的变化规律,通过参数优化得到了增强型GaN JFET的结构参数条件。随后对...
关键词：氮化镓 结型场效应晶体管 增强型 横向结构 击穿电压 
P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2
《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 谭张杨 李锜轩 李晋恒 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...
关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件 结构优化 制备工艺优化 
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