陈建炉

作品数：5被引量：4H指数：1
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发文主题：分子束外延二维电子气MBE生长MBE调制掺杂更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
《微纳电子技术》2003年第6期26-28,共3页邱凯 张晓娟 陈建炉 
在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-H...
关键词：高电子迁移率晶体管 分子来外延 缓冲层 INGAAS 铟钙砷化合物 MM—HEMT材料 二维电子气迁移率 生长温度 
InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
《微纳电子技术》2003年第3期8-10,28,共4页邱凯 张晓娟 陈建炉 
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2....
关键词：InP-HEMT 高电子迁移率晶体管 复合沟道 磷化铟基 
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长
《微纳电子技术》2002年第8期22-25,共4页谢自力 邱凯 尹志军 方晓华 陈建炉 蒋朝辉 
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法...
关键词：分子束外延 异质结 量子阱 调制掺杂 二维电子气 MBE工艺 铝镓砷三元材料 
PHEMT结构材料及器件被引量：4
《微纳电子技术》2002年第2期15-17,共3页谢自力 邱凯 尹志军 方小华 陈建炉 王向武 陈堂胜 高建峰 
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
关键词：微波毫米波 分子束外延 赝配结构高电子迁移率晶体管 异质结 二维电子气 
PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)
《电子器件》2001年第3期174-177,共4页邱凯 尹志军 谢自力 方小华 王向武 将朝晖 陈建炉 
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲...
关键词：分子束外延 赝配高电迁移率晶体管 低温砷化镓 PHEMT材料 
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