PHEMT结构材料及器件  

PHEMT material and device

作　　者：谢自力[1] 邱凯[1] 尹志军[1] 方小华[1] 陈建炉[1] 王向武[1] 陈堂胜[1] 高建峰[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,江苏南京210016

出　　处：《微纳电子技术》2002年第2期15-17,共3页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。The structure characters of microwave and millimeter wave pseudomorphic structure high electron mobility transistor material are introduced.The MBE growth technology of this materi-al is investigated.The conclusions of the electronic device fabricated by this material are reported.

关 键 词：微波毫米波 分子束外延 赝配结构高电子迁移率晶体管 异质结 二维电子气 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学] TN405.984