方小华

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：分子束外延异质结MBE生长英文高电子迁移率晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《电子器件》更多>>
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PHEMT结构材料及器件被引量：4
《微纳电子技术》2002年第2期15-17,共3页谢自力 邱凯 尹志军 方小华 陈建炉 王向武 陈堂胜 高建峰 
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
关键词：微波毫米波 分子束外延 赝配结构高电子迁移率晶体管 异质结 二维电子气 
PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)
《电子器件》2001年第3期174-177,共4页邱凯 尹志军 谢自力 方小华 王向武 将朝晖 陈建炉 
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲...
关键词：分子束外延 赝配高电迁移率晶体管 低温砷化镓 PHEMT材料 
分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)
《电子器件》2000年第4期258-261,共4页谢自力 邱凯 尹志军 方小华 王向武 陈堂胜 
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ...
关键词：场效应晶体管 分子束外延生长 INGAAS/GAAS 异质结 
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