PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)  

MBE Growth of PHEMT Material and Its Application

作　　者：邱凯[1] 尹志军[1] 谢自力[1] 方小华[1] 王向武[1] 将朝晖[1] 陈建炉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《电子器件》2001年第3期174-177,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲层 ,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果。We optimized growth conditions of the strained InGaAs channel with LT GaAs buffer layer for power PHEMT.The results indicated the success of devices application.

关 键 词：分子束外延 赝配高电迁移率晶体管 低温砷化镓 PHEMT材料 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学]