平面掺杂异质结场效应管的二维电子气浓度和材料结构尺寸之间的关系  

Relation Between Two Dimensional Electron Gas Density and Structrue Size of Material of Planar Doped Hetero Junction FET

作　　者：李效白[1] 

机构地区：[1]专用集成电路国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第5期389-394,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：专用集成电路国家重点实验室资助

摘　　要：本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压，沟道电流等以及它们之间的关系进行了计算分析，可作为材料和器件结构设计的依据．Abstract The relation among structure size of material space layer, modulated doped layer, depleted barrier layer and two dimensional gas density of heterostructure interface layer, pinch off voltage, channel current has been described. It is shown that the proposed expressions play an essential role in parameter design of material and device.

关 键 词：异质结 场效应管 掺杂 二维电子气浓度 材料结构 

分 类 号：TN386.604[电子电信—物理电子学] TN305.3