Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展  

PROGRESS IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN GROUP-Ⅲ-NITRIDE HETEROSTRUCTURES

作　　者：孔月婵[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学进展》2006年第2期127-145,共19页Progress In Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080);国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304)

摘　　要：本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。We report progress in the characteristics of two-dimensional electron gas （2DEG） in group-Ⅲ-nitride heterostructures, especially in fundamental AIGaN/GaN heterostructure. The 2DEG densities, distributions and mobility in dependence on the Al content, the thickness and strain relaxation of AlGaN barrier and doping level are discussed at length, based on the peculiar strong polarization effect in strained wurtzite GaN-based heterostructure. AlGaN/GaN/AlGaN, AlGaN/AlN/GaN, AlGaN/InGaN/GaN and other group- Ⅲ -nitride heterostructures are also briefly reviewed.

关 键 词：Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]