王晓勇

作品数：2被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：紫外探测器ALGAN欧姆接触日盲GAN基紫外探测器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与激光工程》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器被引量：8
《红外与激光工程》2013年第4期1011-1014,共4页王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅 
国家自然科学基金(60776047);国家863计划(2007AA03Z401)
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。...
关键词：紫外探测器 ALGAN 日盲 量子效率 
p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响被引量：2
《物理学报》2012年第21期405-410,共6页王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅 
国家自然科学基金(批准号:60776047);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z401)资助的课题~~
通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结...
关键词：p-AlGaN 压电极化 二维空穴气 欧姆接触 
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