应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响  

Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility

作　　者：王琦[1] 王荣华[1] 夏冬梅[1] 郑有炓[1] 韩平[1] 俞慧强[1] 梅琴[1] 谢自力[1] 修向前[1] 朱顺明[1] 顾书林[1] 施毅[1] 张荣[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期130-132,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目

摘　　要：用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.

关 键 词：应变SI SIC 化学气相沉积 霍尔迁移率 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学]