葛瑞萍

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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：化学气相淀积合金薄膜生长温度XSI1更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《半导体技术》《中国激光》更多>>
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Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
《真空科学与技术学报》2008年第S1期52-55,共4页梅琴 韩平 王荣华 吴军 夏冬梅 葛瑞萍 赵红 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合...
关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜 扩散 能量色散谱仪 化学气相淀积 
4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
《半导体技术》2008年第S1期290-293,共4页俞斐 吴军 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 徐现刚 陈秀芳 张荣 郑有炓 
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶...
关键词：化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金 电化学腐蚀电容电压 载流子浓度分布 
生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C薄膜特性的影响
《半导体技术》2008年第S1期294-297,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex∶C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结...
关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜 化学气相淀积 生长温度 载流子 
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
《真空科学与技术学报》2008年第S1期9-12,共4页王荣华 韩平 曹亮 梅琴 吴军 葛瑞萍 谢自力 陈鹏 陆海 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光...
关键词：化学气相淀积 Ge薄膜 GAN 金属In 
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