GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长  

Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al_2O_3(0001) Substrates

作　　者：王荣华[1] 韩平[1] 曹亮[1] 梅琴[1] 吴军[1] 葛瑞萍[1] 谢自力[1] 陈鹏[1] 陆海[1] 顾书林[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《真空科学与技术学报》2008年第S1期9-12,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)

摘　　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78eV;经过H2预处理,GaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿(111)方向择优生长,晶体质量较高。The Ge films were grown by chemical vapor deposition(CVD),with GeH4 as the source of reactive gas,on GaN/Al2O3(0001)composite substrates.The microstructures and optical properties of the Ge epitaxial films were characterized with X-ray diffraction(XRD),Raman spectroscopy,scanning electron microscopy(SEM)and atomic force microscopy(AFM).The results show that smooth and compact polycrystalline Ge films,with a band-gap of 0.78 eV,can be deposited in N2 atmosphere.Moreover,the pretreatment of H2 results in depo...

关 键 词：化学气相淀积 Ge薄膜 GAN 金属In 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]