α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究  

作　　者：陈志忠[1,2] 沈波[1,2] 杨凯 张序余[1,2] 陈浩 陈鹏[1,2] 臧岚 周玉刚 郑有炓[1,2] 吴宗森 孙晓天[1,2] 陈峰 

机构地区：[1]南京大学物理系 [2]南京大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第1期62-66,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下，加热样品至３００℃，光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化，对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样，发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升，停止光照，光电导锐利下降并出现振荡，表明光照停止后，载流子在导带和深陷阱能级的再分布．用一个浅能级陷阱和一个深能级陷阱的模型来近似导带边陷阱结构能很好的解释实验结果．另外，测得的光电导随光强的变化关系也进一步证实了模型的合理性．

关 键 词：氧化铝 氮化镓 外延生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054