Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管  

Si-based Ge0.85Si0.15 Heterojunction Photodiodes

作　　者：江若琏[1] 罗志云[1] 陈卫民[1] 臧岚[1] 朱顺明[1] 徐宏勃 刘夏冰[1] 程雪梅[1] 陈志忠[1] 韩平[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《半导体光电》2000年第1期27-29,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：86 3计划;国家自然科学重点基金资助项目!(6 96 36 0 10 )

摘　　要：采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。Ge 0.85 Si 0.15 /Si heterojunction pin mesa photodiodes are fabricated.The absorption regions of these diodes are (i) Ge 0.85 Si 0.15 -(p)Si layers with which the buffer layers are grown at low temperature and GeSi epilayers are grown at high temperature. The wavelength range of these diodes is 0.7～1.55 μm with a peak at 1.06 μm,the dark current density of as low as 0.03 μA/mm 2(-2 V),and the responsivity of 1.8 A/W(-2 V) and 0.066 A/W(-2 V) at 1.06 μm and 1.3 μm,respectively.

关 键 词：光电二极管 异质结 硅基 硅化鳍 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]