Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长  

Growth of Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)Ternary Alloy on Si Substrate

作　　者：朱顺明[1] 江宁[1] 臧岚[1] 韩平[1] 刘夏冰[1] 程雪梅[1] 江若琏[1] 郑有炓[1] 胡晓宁[2] 方家熊[2] 

机构地区：[1]南京大学物理系,210093 [2]中国科学院上海技术物理所,200083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2000年第4期414-418,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学重点基金;教育部博士点基金项目资助

摘　　要：研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。We have studied the growth of SiGeC alloy film on silicon Substrate. We have grown SiGeC alloy with C incorporated substitutionally by RTP/VLP CVD with noh equilibrium growth technique. We used ethylene as source of carbon. The experiments show that lower growth temperature and high SiH 4/C 2H 4 flow ratio lead to substitutional incorporation of carbon and improvement of crystal quality.

关 键 词：快速加热超低压化学气相淀积 非平衡生长 代位式 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]