周长胜

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多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
《大连理工大学学报》1993年第4期482-488,共7页周长胜 邹赫麟 李建军 魏希文 
国家"八五"重点科技攻关预研课题
通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分...
关键词：多晶硅 界面层 发射极晶体管 
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