一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器  

An SiGe Low Noise Amplifier Based on MBE Differential Epitaxy

作　　者：张静[1] 李荣强[1] 刘伦才[1] 李开成[1] 刘道广[1] 徐婉静[1] 杨永晖[1] 蒲林[1] 谭开洲[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2006年第5期569-571,594,共4页Microelectronics

摘　　要：采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。With isoplanar isolation, processes, an SiGe noise figure of 3. 5 MBE differential epitaxial base, a planar integration of SiGe devices was implemented by using polysilicon implantation, and emitter formation by rapid thermal annealing. Based on these low noise amplifier （LNA）was fabricated, and a bandwidth of 1.7 GHz, a gain of 23 dB, and a dB have been achieved for the circuit.

关 键 词：分子束外延 差分外延 锗硅异质结双极晶体管 低噪声放大器 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3