P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析  

作　　者：王斌[1,2] 李孝权 肖添 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆401332

出　　处：《电子元器件与信息技术》2024年第8期15-17,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等)。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能。热效应包含热膨胀、热应力等:辐射损伤包括辐射引起的电学性能退化和物理损伤等。在P沟道VDMOS器件中,电子与活性粒子之间会产生多粒子相互作用(如多粒子互穿、多粒子散射等),是一种极具潜力的器件。这种多核的单颗粒效应会引起P沟道VDMOS器件性能的退化,甚至导致器件的失效。

关 键 词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]