硅直接键合

作品数：42被引量：66H指数：5
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铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件被引量：1
《真空科学与技术学报》2019年第4期345-349,共5页姜彪 于振华 甘婧 王永健 孟冬辉 李明利 孙立臣 王旭迪 
国家自然科学基金面上项目(项目编号:No.61574053,No.61871172)
提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1pim的沟槽结构密封成微通道,利用钢熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氮质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的...
关键词：固定流导元件 微通道 硅直接键合 铟封接 分子流 
晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响
《电子工业专用设备》2017年第4期1-4,16,共5页陈晨 杨洪星 
采用建立了硅硅直接键合的简化模型,依据薄板理论分析了键合发生的条件以及原始晶片的曲率与键合后晶片曲率的关系;理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆,并通过试验进行了验证。
关键词：键合 弯曲变形 翘曲度 
从双层到多层带有微结构的硅硅直接键合技术研究被引量：1
《航空动力学报》2016年第11期2628-2634,共7页袁星 陶智 李海旺 谭啸 孙加冕 
国家自然科学基金(51506002)
通过理论分析和实验验证对多层带有微结构的硅硅直接键合技术进行了研究.采用的硅片表面活化处理方法是亲水湿法,采用的键合工艺流程是先将硅片在键合机中进行预键合,再使用退火炉进行高温退火.其中预键合参数对多层键合成功与否起到决...
关键词：多层键合 预键合 正交实验 键合分析软件 键合率 
一种新型岛膜压力传感器的研究与设计被引量：1
《微纳电子技术》2015年第7期446-451,共6页余成昇 展明浩 胡芳菲 李凌宇 何凯旋 许高斌 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA041101)
设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 压力传感器 岛膜结构 ANSYS仿真 硅-硅直接键合 绝缘衬底上硅(SOI) 
硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程
《微纳电子技术》2015年第6期402-405,共4页陈晨 杨洪星 何远东 
硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进...
关键词：硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄 平整度 弯曲度 翘曲度 
基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1
《微纳电子技术》2015年第5期325-328,共4页王亚彬 王晓光 郑丽 王成杨 宋尔冬 
提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检...
关键词：表面激活 表面态 高温退火 硅-硅直接键合(SDB) 空洞 键合强度 
基于氧等离子体活化的硅硅直接键合工艺研究被引量：1
《半导体光电》2013年第5期783-786,共4页张昆 廖广兰 史铁林 聂磊 
国家"973"计划项目(2009CB724204)
基于氧等离子体活化的硅硅直接键合是一种新型的低温直接键合技术。为了优化工艺参数,得到高质量的键合硅片,选用正交试验法,研究了氧等离子体活化时间、活化功率、氧气流量三个重要的工艺参数对键合的影响,并采用键合率评估键合质量。...
关键词：氧等离子体 硅硅直接键合 正交试验 
硅-硅直接键合技术及其在三明治电容加速度计中的应用
《集成电路通讯》2013年第1期1-8,共8页何凯旋 陈博 王文婧 王鹏 陈璞 黄斌 郭群英 
硅硅直接键合技术在MEMS工艺中占有极其重要的地位，特别在高精度加速度计、陀螺等复杂三维结构的实现，以及晶圆级真空封装方面都有重要应用。通过大量工艺实验，获得的最佳的键合工艺流程，可使4英寸硅片键合面积达98％。将硅硅直接...
关键词：MEMS 硅硅直接键合 三明治电容加速度计 
硅硅直接键合界面杂质分布研究
《现代电子技术》2010年第2期157-159,共3页霍文晓 
根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律,使用集成电路模拟软件T-SUPREM 4建立一个键合过程中杂质再扩散模型。该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计。使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟,得到了在500℃温度下进...
关键词：微电子机械系统 直接键合 杂质分布 功率器件 
用两次键合技术制备均匀单晶硅膜被引量：2
《电子器件》2006年第1期69-72,75,共5页何芳 黄庆安 秦明 
国家自然科学基金资助课题(60476019)
硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键...
关键词：硅直接键合 减薄 单晶硅薄膜 MEMS 器件 
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