硅-硅直接键合

作品数：10被引量：13H指数：2
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晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响
《电子工业专用设备》2017年第4期1-4,16,共5页陈晨 杨洪星 
采用建立了硅硅直接键合的简化模型,依据薄板理论分析了键合发生的条件以及原始晶片的曲率与键合后晶片曲率的关系;理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆,并通过试验进行了验证。
关键词：键合 弯曲变形 翘曲度 
一种新型岛膜压力传感器的研究与设计被引量：1
《微纳电子技术》2015年第7期446-451,共6页余成昇 展明浩 胡芳菲 李凌宇 何凯旋 许高斌 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA041101)
设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 压力传感器 岛膜结构 ANSYS仿真 硅-硅直接键合 绝缘衬底上硅(SOI) 
硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程
《微纳电子技术》2015年第6期402-405,共4页陈晨 杨洪星 何远东 
硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进...
关键词：硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄 平整度 弯曲度 翘曲度 
基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1
《微纳电子技术》2015年第5期325-328,共4页王亚彬 王晓光 郑丽 王成杨 宋尔冬 
提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检...
关键词：表面激活 表面态 高温退火 硅-硅直接键合(SDB) 空洞 键合强度 
硅-硅直接键合技术及其在三明治电容加速度计中的应用
《集成电路通讯》2013年第1期1-8,共8页何凯旋 陈博 王文婧 王鹏 陈璞 黄斌 郭群英 
硅硅直接键合技术在MEMS工艺中占有极其重要的地位，特别在高精度加速度计、陀螺等复杂三维结构的实现，以及晶圆级真空封装方面都有重要应用。通过大量工艺实验，获得的最佳的键合工艺流程，可使4英寸硅片键合面积达98％。将硅硅直接...
关键词：MEMS 硅硅直接键合 三明治电容加速度计 
硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟
《固体电子学研究与进展》2006年第1期134-138,共5页陈新安 黄庆安 刘肃 李伟华 
国家863计划项目(No.2003AA404010);国家杰出青年科学基金项目(No.50325519)资助
硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0
关键词：硅-硅直接键合 本征氧化物 界面氧化层模型 杂质分布 
大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制
《微电子学》2005年第4期416-419,共4页姜岩峰 黄庆安 
北京市自然科学基金资助项目(4042013)
文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极...
关键词：硅-硅直接键合 静电感应晶闸管 电力器件 
硅-硅直接键合制造静电感应器件被引量：5
《电力电子技术》2004年第2期92-94,共3页陈新安 刘肃 黄庆安 
静电感应器件(StaticInductionDevice,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题。用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了...
关键词：电力半导体器件/静电感应器件 硅-硅直接键合 掩埋栅结构 
硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
《电子科技大学学报》1999年第5期494-497,共4页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金!69776041
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表...
关键词：硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性 
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：4
《微电子学》1999年第5期354-357,共4页何进 王新 陈星弼 
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词：半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理 
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