王新

作品数：10被引量：40H指数：4
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：硅片直接键合谐振特性小型化输出腔真空微波更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子科技大学学报》《Journal of Semiconductors》《真空电子技术》更多>>
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S波段圆形注反向切伦科夫振荡器
《真空电子技术》2020年第3期37-41,共5页张宣铭 王新 江胜坤 唐涛 王战亮 巩华荣 宫玉彬 段兆云 
国家自然科学基金项目(61871095、61921002、61531010);南京三乐集团有限公司对CST仿真软件项目。
真空电子器件广泛应用于军事民用等领域,具有功率高、电子效率高等优点。近年来在固态电子器件迅猛发展的影响下,真空电子器件的小型化需求越来越迫切。本文研究了超材料慢波结构的高频特性,表明基模n=0空间谐波具有返波特性和高耦合阻...
关键词：超材料慢波结构 圆形注 小型化 反向切伦科夫振荡器 
基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第9期877-881,共5页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目! ( 697760 4 1 )&&
报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .
关键词：IGBT 硅片直接键合 PT型 双极晶体管 
电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第8期786-791,共6页何进 张兴 黄如 杜彩霞 韩磊 王新 
通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分...
关键词：功率器件 穿通结构 电导调制 优化设计 
直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性
《功能材料》2000年第1期58-59,共2页何进 陈星弼 王新 
亲水处理是硅片能否直接键合成功的关键。基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果 ,本文提出了独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合 ,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx 体的生成 ,避免了界面对...
关键词：硅片 键合 亲水处理 界面 SDB技术 
VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计被引量：6
《Journal of Semiconductors》1999年第11期977-982,共6页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高...
关键词：VDMOS 场效应晶体管 掺杂 外延区 优化设计 
硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
《电子科技大学学报》1999年第5期494-497,共4页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金!69776041
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表...
关键词：硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性 
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：4
《微电子学》1999年第5期354-357,共4页何进 王新 陈星弼 
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词：半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理 
VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论被引量：2
《电子器件》1999年第3期143-148,共6页何进 陈星弼 王新 
国家自然科学基金
在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主要方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿...
关键词：VDMOS 外延区优化 掺杂 场效应晶体管 设计 
硅片直接键合的微观动力学研究被引量：1
《半导体技术》1999年第6期33-35,共3页何进 陈星弼 王新 
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
关键词：硅片直接键合 微观动力学 硅微结构 
直接键合硅片的亲水处理及其表征被引量：16
《半导体技术》1999年第5期23-25,29,共4页何进 陈星弼 杨传仁 王新 
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词：硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅 
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