硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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SOI高温压力传感器的研究现状被引量：9
《河北工业大学学报》2005年第2期14-19,共6页张书玉 张维连 张生才 姚素英 
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方...
关键词：压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片 
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：1
《微电子学》2004年第2期215-216,共2页羊庆玲 冯建 
　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
关键词：VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 
硅片直接键合杂质分布的模型与模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第8期887-891,共5页张佩君 黄庆安 
教育部科学与技术研究资助项目 (No .0 0 0 65 )~~
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型 ,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布 .并利用MATLAB软件 ,编写了键合工艺模拟程序 ,计算结果与实验进行了比较 .该模型可以为相关器件的研究提供参考 .
关键词：硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件 
硅片键合过程中的接触面积
《飞通光电子技术》2002年第1期31-35,共5页韩伟华 余金中 
给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素.
关键词：接触面积 理论模型 凸起分布 弹性形变 硅片直接键合 SOI材料 功率半导体器件 表面吸附 荷载压力 
基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第9期877-881,共5页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目! ( 697760 4 1 )&&
报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .
关键词：IGBT 硅片直接键合 PT型 双极晶体管 
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：4
《微电子学》1999年第5期354-357,共4页何进 王新 陈星弼 
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词：半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理 
硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
《电子科技大学学报》1999年第5期494-497,共4页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金!69776041
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表...
关键词：硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性 
硅片直接键合的微观动力学研究被引量：1
《半导体技术》1999年第6期33-35,共3页何进 陈星弼 王新 
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
关键词：硅片直接键合 微观动力学 硅微结构 
用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术被引量：6
《半导体技术》1999年第5期19-22,共4页肖天龙 茅盘松 袁璟 
针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细...
关键词：MEMS 低温 硅片直接键合 氧等离子体激活 IC 
直接键合硅片的亲水处理及其表征被引量：16
《半导体技术》1999年第5期23-25,29,共4页何进 陈星弼 杨传仁 王新 
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词：硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅 
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