适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术  

Silicon Direct Bonding Technology for VDMOSFET's

作　　者：羊庆玲[1] 冯建[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2004年第2期215-216,共2页Microelectronics

摘　　要：　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。Silicon wafers are prepared using silicon direct bonding (SDB) technology, which are used for the development of VDMOSFET's. Experimental results indicate that VDMOSFET's based on SDB wafers have better electrical performances than those based on epitaxial substrates.

关 键 词：VDMOSFET 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]