基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制  

Preparation of PT-IGBT with New Structure Based on SDB

作　　者：何进[1] 王新[1] 陈星弼[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子所,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第9期877-881,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目! ( 697760 4 1 )&&

摘　　要：报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .Preparation of PT\|IGBT with the new positiv e bevel structure is investigated, based on the Silicon Wafer Direct Bonding(SDB) technology. Utilizing the SDB te chnology, it is very convenient to optimize t he N + buffer layer and to obtain the positive bevel terminal structure of I GBT. The experimental results show that the SDB technolog y is very useful in the development of new generation of IGBT devices.

关 键 词：IGBT 硅片直接键合 PT型 双极晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]