硅片键合过程中的接触面积  

作　　者：韩伟华[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《飞通光电子技术》2002年第1期31-35,共5页

摘　　要：给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素.

关 键 词：接触面积 理论模型 凸起分布 弹性形变 硅片直接键合 SOI材料 功率半导体器件 表面吸附 荷载压力 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]