SOI材料

作品数：103被引量：62H指数：4
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基于SOI原理的特种车辆用压力传感器的研制被引量：1
《电子世界》2019年第21期147-148,共2页金琦 孙晓峰 李广恒 李斌 王静 
1.引言车辆发动机进气歧管内压力,通过专用的压力传感器测量,并通过放大电路将其转换成标准电压信号,传输到车辆控制系统,从而达到控制喷油量的作用,保证发动机正常工作。该压力传感器的核心芯片采用SOI材料,利用微电子技术和集成电路...
关键词：压力传感器 温度性能 产品技术要求 集成电路工艺 特种车辆 车辆发动机 SOI材料 静态性能 
我国在硅纳米线阵列宽光谱发光研究中取得新进展
《新材料产业》2017年第4期80-80,共1页
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学...
关键词：硅纳米线阵列 发光性能 宽光谱 国家重点实验室 时域有限差分法 SOI材料 信息功能材料 等离子体技术 
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
《实验与分析》2017年第2期6-6,共1页
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI（绝缘体上硅）材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对...
关键词：绝缘体上硅 材料生长 微系统 锗薄膜 石墨 上海 国家重点实验室 SOI材料 
上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制
《炭素技术》2016年第3期60-60,共1页
近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在锗基石墨!烯的取向生长机制方面取得进展。课题组研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东!!师范大学合作借助...
关键词：取向生长 微系统 石墨 物理机制 上海 国家重点实验室 SOI材料 锗 
硅基纳米光波导微腔全光开关新进展被引量：1
《物理》2015年第12期803-809,共7页李淳飞 
全光开关研究已有50年历史,至今尚未全面达到实用开关器件所要求的技术指标。近几年来基于SOI材料(做在绝缘层上的硅材料)、工作在光通信波长、采用成熟CMOS工艺(互补金属氧化物半导体工艺)的硅基纳米波导微腔结构全光开关已成为国际科...
关键词：全光开关 非线性光学 SOI材料 纳米光波导 微腔 CMOS工艺 
CMOS器件单粒子锁定效应及其防护设计被引量：1
《通信对抗》2015年第4期45-48,共4页吕强 张朝晖 洑小云 邓明 李文华 
介绍了体硅CMOS器件单粒子锁定原理,讨论了抗单粒子锁定指标、器件制造工艺和电路防护设计方法。对某工业级DDS器件抗单粒子锁定电路加固设计进行了研究,并开展了单粒子锁定辐射验证试验。试验结果表明,通过实时检测器件供电电流来控制...
关键词：CMOS 单粒子锁定 SOI材料 DDS器件 防护电路设计 辐射试验 
基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文)被引量：2
《强激光与粒子束》2015年第2期181-185,共5页李蕾 温殿忠 李刚 赵晓锋 
supported by National Natural Science Foundation of China(60676044,61006057);Electronics Engineering of College of Heilongjiang Province(DZZD20100013)
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶...
关键词：α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性 
一种悬臂梁厚度可控的制作方法被引量：1
《集成电路通讯》2013年第3期25-29,共5页王文婧 黄斌 陈璞 庄须叶 
针对湿法腐蚀加速度计悬臂梁时出现的梁厚度不均匀性问题，采取项层硅可定制的SOI材料制作出梁厚度均匀性一致的器件；采用干法刻蚀工艺减小结构开窗面积提高了产量。针对干法刻蚀中出现的负载效应和footing效应对结构层的厚度和形貌的...
关键词：SOI材料干法刻蚀结构厚度footing效应 
离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究
《功能材料与器件学报》2013年第3期109-113,共5页陈明 毕大炜 黄辉祥 邹世昌 张正选 
基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI...
关键词：SOI MOS 退火效应 总剂量辐射 离子注入 离子掺杂 改性 
氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2
《物理学报》2013年第11期442-448,共7页张百强 郑中山 于芳 宁瑾 唐海马 杨志安 
为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征....
关键词：绝缘体上硅(SOI)材料 注氮 注氟 埋氧层正电荷密度 
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