上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展  

出　　处：《实验与分析》2017年第2期6-6,共1页LABOR PRAXIS

摘　　要：近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI（绝缘体上硅）材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积（CVD）方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料，并将其成功应用于除雾器等电加热器件。

关 键 词：绝缘体上硅 材料生长 微系统 锗薄膜 石墨 上海 国家重点实验室 SOI材料 

分 类 号：TQ127.11[化学工程—无机化工]