负阻特性

作品数：65被引量：50H指数：4
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单结晶体管在混合延时继电器中的应用
《机电元件》2020年第5期28-30,共3页毕德林 
本文针对使用单结晶体管设计的1型(动作延时)、2B型(释放延时)混合延时继电器时,从单结晶体管的结构、工作原理及设计的延时电路工作原理等方面进行了比较详细的介绍,并对采用其它器件设计的延时电路进行了优缺点分析,对混合延时继电器...
关键词：单结晶体管 负阻特性 动作延时 释放延时 
基于负阻特性的脉冲宽度调节电路被引量：1
《电子世界》2020年第17期172-173,共2页崔建国 宁永香 
脉冲触发信号的脉冲宽度(占空比)偏小,可以利用具有负阻特性的单极管,通过调节阻容网络形成的充放电时间,使单极管在导通的瞬间,继电器线圈失电,从而产生的反向感应电动势导致可控硅截止,最终可以改变触发脉冲的占空比,这种UJT脉冲延迟...
关键词：继电器线圈 脉冲宽度调节 负阻特性 感应电动势 阻容网络 延迟电路 触发脉冲 脉冲触发 
电弧等离子体激励电源的研究被引量：2
《电脑编程技巧与维护》2020年第4期38-40,52,共4页刘卫华 孙立萌 梁哲 
气体放电机理的研究是很多物理领域研究的基础,放电电源是气体放电的关键设备。针对气体放电时复杂的工况和其特殊的负阻特性,提出并研制了一种以CPLD和PLC结合控制的放电电源。对电源主功率电路、数字控制系统及驱动电路的工作原理和...
关键词：气体放电 电弧等离子体 负阻特性 恒流特性 
等离子体接触器放电特性试验研究
《火箭推进》2019年第3期81-86,共6页冯杰 王彦龙 刘明正 田立成 刘士永 张健新 
载人航天预研项目(YZR0702)
为了研究等离子体接触器的伏安特性,设计试验分别测试了单支和双支等离子体接触器工作时的伏安特性,并给出了等离子体接触器钳位电压、偏置电压以及触持电压随偏置电流的变化规律。试验结果表明:供气流率的提升有利于接触器放电效率的改...
关键词：等离子体接触器 伏安特性 正阻特性 负阻特性 
知识窗
《制造技术与机床》2019年第1期43-43,共1页
负阻特性(negative resistance characteristic)指兀件两端的电压能通过它的电流的增加而降低的特性。表现在伏安特性上将出现下降的一段曲线。如单结晶体管、隧道二极管等半导体器件在伏安特性曲线上就有负阻特性曲线段。负阻效应(dyat...
关键词：伏安特性曲线 阳极电压 知识 负阻特性 负阻效应 单结晶体管 半导体器件 隧道二极管 
基于负阻特性的音调指示型电子水份测量仪
《电子世界》2017年第12期11-12,14,共3页崔建国 宁永香 
传统水份测量仪普遍采用目视表头读数的方法,不适合中老年人使用,设计一种依靠听觉、凭音调的高低来间接测定土壤干湿状态的电子水份测量仪:以两支探针作为传感器、利用双基极二极管(该管具有发射极电压随发射极电流增加反而下降的特性...
关键词：水份测量仪 双基极二极管 负阻特性 锯齿波 缓冲放大 低频放大 
S波段简易压控振荡器的设计与实现被引量：2
《现代雷达》2015年第4期65-68,72,共5页李彪 潘安 李家强 葛俊祥 李垚 
国家自然科学基金资助项目(61372066);中国气象局公益性行业(气象)科研基金资助项目(GYHY201206038);江苏省科技型企业技术创新资金资助项目(BC2013031)
描述了一种S波段简易压控振荡器(VCO)的设计。该设计基于负阻原理,利用微波有源器件的小信号S参数,采用低噪声晶体管和变容二极管作为核心器件降低振荡器的相位噪声。适当的匹配补偿电路有效地改善了VCO的调频(FM)线性度,同时,有效地抑...
关键词：S波段 压控振荡器 S参数 负阻特性 结构简单 
势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响
《电子与封装》2015年第3期38-43,共6页孟晓 张海鹏 林弥 余育新 宁祥 吕伟锋 李阜骄 王利丹 余厉阳 王彬 
国家自然科学基金(61302009);浙江省研究生科研创新基金(2014KYJJ026)
目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性...
关键词：共振隧穿二极管 GAAS/ALGAAS 对称双势垒 势阱宽度 势垒宽度 负阻特性 
基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文)被引量：2
《强激光与粒子束》2015年第2期181-185,共5页李蕾 温殿忠 李刚 赵晓锋 
supported by National Natural Science Foundation of China(60676044,61006057);Electronics Engineering of College of Heilongjiang Province(DZZD20100013)
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶...
关键词：α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性 
一种提高电力推进系统静态稳定性的算法
《海军工程大学学报》2014年第3期29-33,共5页李闯 阳习党 范学鑫 王建军 
国家自然科学基金资助项目(50977090)
通过对推进变频器传统控制算法的研究,提出了一种直流母线稳定控制算法,并对该算法的工作原理、控制性能等进行了分析和仿真验证。结果表明:通过选择适当的控制参数,该算法在推进系统全工况范围内均可以显著削弱推进系统的负阻特性,使...
关键词：电力推进系统 负阻特性 静态稳定性 
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