离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究  

作　　者：陈明[1,2] 毕大炜[1,2] 黄辉祥 邹世昌[1,2] 张正选 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 [2]中国科学院大学

出　　处：《功能材料与器件学报》2013年第3期109-113,共5页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad(Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累。

关 键 词：SOI MOS 退火效应 总剂量辐射 离子注入 离子掺杂 改性 

分 类 号：TB34-55[一般工业技术—材料科学与工程]