1.5μm双层布线N阱CMOS工艺研究  

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作  者:陈计学[1] 

机构地区:[1]中国兵器工业第214研究所

出  处:《集成电路通讯》2000年第2期1-2,,14,,共3页

摘  要:给出了1.5μm双层布线N阱CMOS工敢研究流程,叙述了研究中一些关键技术。

关 键 词:N阱CMOS 双层布线 PMOS 光刻 

分 类 号:TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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