一种采用微小通孔的双层布线技术  

A Double Layer Wiring Technique Based on Fine Vias

作　　者：杨国渝[1] 伍乾永[2] 陈鹏[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060 [2]自贡高等专科学校,四川自贡643000

出　　处：《微电子学》2001年第1期46-48,共3页Microelectronics

摘　　要：文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50A technique for double layer wiring by using polyimide and CVD SiO 2 as interlayer dielectrics is presented With this technique, a 100% yield can be achieved for etching of 2 μm×2 μm vias and double layer Al wiring The coverage rate of dielectrics on 1-layer Al is above 95%, and the interlayer isolation voltage is greater than 250 V

关 键 词：集成电路 双层布线 聚酰亚胺 层间介质 微小通孔 二氧化硅 

分 类 号：TN405.97[电子电信—微电子学与固体电子学]