杨国渝

作品数：9被引量：22H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：集成电路硅压力传感器键合MEMS器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《光学精密工程》《微电子学》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
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用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究被引量：12
《微电子学》2004年第5期519-521,共3页张正元 徐世六 刘玉奎 杨国渝 税国华 
国家"863"计划"MEMS重大专项B类项目"(2003AA404-02)资助。
　针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
关键词：湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构 
真空微电子压力传感器的研制被引量：7
《光学精密工程》2004年第6期603-607,共5页温志渝 温中泉 徐世六 刘玉奎 张正元 陈刚 杨国渝 
"863"MEMS重大专项(2002AA404080)资助课题;教育部科学技术研究重大项目(0216)资助课题;重庆市"十五"攻关项目资助课题;微米/纳米加工技术国家重点实验室基金资助课题;国防科技模拟集成电路实验室资助课题。
提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结...
关键词：压力传感器 过载保护 场致发射阴极锥尖阵列 各向异性腐蚀 
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
《微电子学》2004年第2期164-167,共4页谭开洲 石红 杨国渝 胡刚毅 蒲大勇 冯健 毛儒炎 
　介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在...
关键词：智能功率集成电路 SOI CMOS LDMOS VDMOS 
真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究
《微纳电子技术》2003年第7期120-121,共2页杨国渝 税国华 张正元 温志渝 
国家 8 63资助项目 (2 0 0 2AA40 40 80 )
采用真空键合技术 ,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构 ,经高温退火处理 ,得到一种粘合牢固的硅“三明治”体。这种“三明治”体的上下两个硅片仍可进行IC加工 。
关键词：真空键合 三层结构 MEMS器件 IC工艺 退火 硅基微电子 
硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响被引量：1
《微电子学》2002年第5期395-396,400,共3页杨国渝 冯建 吴建 
硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。
关键词：硅-硅键合 介质隔离 辐射加固 
一种采用微小通孔的双层布线技术
《微电子学》2001年第1期46-48,共3页杨国渝 伍乾永 陈鹏 
文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50
关键词：集成电路 双层布线 聚酰亚胺 层间介质 微小通孔 二氧化硅 
光伏器件的应用
《微电子学》1998年第2期142-144,共3页杨国渝 黄德健 
介绍了以光伏二极管阵列为核心元件组成的光伏耦合器和光伏型固体继电器的特点、电原理、使用方法和性能参数。
关键词：光伏器件 二极管阵列 耦合器 继电器 光电继电器 
双层布线两层铝引线间的导通技术被引量：1
《微电子学》1992年第5期18-23,共6页杨国渝 
讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物造成的,因此必须(1)去除第一次铝引线上的自然氧化物;(2)提高蒸发二次铝时的真空度,防止再生氧化物形成...
关键词：双层布线 欧姆接触 集成电路 工艺 
聚酰亚胺在专用IC中的应用被引量：1
《微电子学》1990年第6期36-42,共7页杨国渝 
本文介绍了聚酰亚胺的主要工艺性能和在专用IC中的应用,如表面钝化,多层布线层间介质和金属化剥离材料等。
关键词：集成电路 聚酰亚胺 表面纯化 ASIC 
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