真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究  

Research for sandwich MEMS device by vacuum bonding

作　　者：杨国渝[1] 税国华[1] 张正元[1] 温志渝[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团电子第24研究所,重庆400060

出　　处：《微纳电子技术》2003年第7期120-121,共2页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家 8 63资助项目 (2 0 0 2AA40 40 80 )

摘　　要：采用真空键合技术 ,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构 ,经高温退火处理 ,得到一种粘合牢固的硅“三明治”体。这种“三明治”体的上下两个硅片仍可进行IC加工 。The silicon sandwich of one wafer with difference depth trenches or cantilever frame structure bonded with another two wafers is obtained by vacuum-bonding and high temperature annealing technology, and on its up and down side, IC can be fabricated, this is strong base for three dimension integrated with MEMS sensor parts and measuring circuit.

关 键 词：真空键合 三层结构 MEMS器件 IC工艺 退火 硅基微电子 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]