硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响  

An Investigation into the Thinning Induced Stress in Wafer- to-Wafer Bonding and Its Effect

作　　者：杨国渝[1] 冯建[2] 吴建[2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《微电子学》2002年第5期395-396,400,共3页Microelectronics

摘　　要：硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。Stress induced during mechanical thinning of wafer to wafer bonding would make the wafer bend and distort,which would cause patterns to be twisted or displaced.The thinning induced stress and its effcet are investigated in the paper.

关 键 词：硅-硅键合 介质隔离 辐射加固 

分 类 号：TN305.95[电子电信—物理电子学]