用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究  

An Investigation into Wet Etching of Si-Trench for MEMS

作　　者：张正元[1] 徐世六[1] 刘玉奎[1] 杨国渝[1] 税国华[1] 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点实验室 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2004年第5期519-521,共3页Microelectronics

基　　金：国家"863"计划"MEMS重大专项B类项目"(2003AA404-02)资助。

摘　　要：　针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。KOH solution and masking in wet etching of silicon trench for MEMS are investigated. Optimized conditions for KOH etching are obtained. Using this technique, silicon trenches up to 315 μm deep are etched, with masked area remaining intact. It provides a good method for 3-D fabrication of silicon MEMS devices.

关 键 词：湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构 

分 类 号：TN405.982[电子电信—微电子学与固体电子学]