芯片互连

作品数：34被引量：80H指数：5
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健那绿B平整剂对芯片互连钴的电沉积成核机理研究
《表面技术》2024年第24期178-187,共10页王书鹏 薛彦鹏 范磊 潘盈卓 程洁 崔碧佳 
国家自然科学基金(52075037);北京市自然科学基金(3222017);清华大学高端装备界面科学与技术全国重点实验室开放基金(SKLTKF21A01)。
目的探究了钴互连金属电子电镀工艺中的电镀成核机理,使用健那绿B(Janus Green B,JGB)对钴的电沉积进行进一步优化,并研究了JGB在改善电镀质量过程中的作用机理。方法采用电化学测试方法包括循环伏安、电流瞬态曲线,以及表征方法包括扫...
关键词：钴 电子电镀 互连金属 集成电路 平整剂 薄膜技术 
基于硅桥芯片互连的芯粒集成技术研究进展
《微电子学》2024年第2期255-263,共9页袁渊 张志模 朱媛 孟德喜 刘书利 王刚 
在后摩尔时代,通过先进封装技术将具有不同功能、不同工艺节点的异构芯粒实现多功能、高密度、小型化集成是延长摩尔定律寿命的有效方案之一。在众多先进封装解决方案中,在基板或转接板中内嵌硅桥芯片不仅能解决芯粒间局域高密度信号互...
关键词：先进封装 芯粒 异构集成 硅桥嵌入 局域互连 
后摩尔时代芯片互连新材料及工艺革新被引量：2
《中国科学：化学》2023年第10期2027-2067,共41页张思勉 邓晓楠 王宇祺 武逸飞 刘佳宁 李正操 蔡坚 王琛 
国家重点研发计划(编号:2021YFA1200800);国家自然科学基金(编号:62004114,62174098);清华大学自主科研计划;北京市科技计划(Z221100005822011);北京高校高精尖创新中心建设资助项目。
受高算力芯片的需求驱动,尽管摩尔定律日趋减缓,高端芯片的工艺复杂度和集成度仍在逐代增大.随着前道工艺中晶体管架构与其集成密度不断优化提升,后道工艺所涉及的芯片内互连技术挑战愈发严峻,迫切需要对互连材料与工艺进行革新.同时,...
关键词：高端芯片 互连材料 先进封装 工艺革新 超导互连 光互连 
芯片金属互连中电镀添加剂的理论与实验研究
《中国科学：化学》2023年第10期1970-1988,共19页李亚强 李若鹏 江杰 杨培霞 张锦秋 刘安敏 Peter Broekmann 安茂忠 
国家自然科学基金(21972037);城市水资源与水环境国家重点实验室(哈尔滨工业大学)(2021TS07)资助项目。
电镀技术是实现芯片制程中金属互连的核心技术,而电镀所用添加剂是实现高质量互连的关键.本文系统地概述了电镀互连中添加剂的研究方法.首先对添加剂的电化学研究方法进行介绍,将电化学研究法分为伏安与阻抗分析法、恒电流研究法和其他...
关键词：芯片互连 添加剂 电化学方法 理论计算 先进表征 
晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2023年第3期F0003-F0003,共1页田飞飞 凌显宝 张君直 叶育红 蔡传涛 赵磊 陶洪琪 
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、...
关键词：晶圆级 金凸点 芯片堆叠 圆片 异构集成 倒装互连 互连技术 3D芯片 
芯片互连用粒径双峰分布纳米铜膏的低温无压烧结纳连接机理和接头可靠性被引量：2
《机械工程学报》2022年第2期58-65,共8页黄海军 周敏波 吴雪 张新平 
国家自然科学基金(51775195);广州市科技计划(201807010028)资助项目。
利用一步化学还原法合成具有粒径双峰分布的铜纳米颗粒,并制备可在低温无压条件下烧结的纳米铜膏。铜纳米颗粒由平均粒径160 nm的大颗粒及其被平均粒径9 nm小颗粒包围的团聚体构成;采用乳酸基复合包覆剂不仅能有效防止铜颗粒氧化,还对...
关键词：纳米铜膏 双峰分布 无压烧结 纳连接 可靠性 
芯片互连层化学机械平坦化过程中材料移除机理研究进展被引量：3
《机械工程学报》2022年第2期147-158,共12页杭弢 常鹏飞 李明 
国家自然科学基金重大资助项目(51991374)。
化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化。互连层金属和芯片结构中的其他材料性质差异较大,其平坦化过程更加依赖于抛光浆料中的化学组分。协同机...
关键词：化学机械平坦化 CMP 抛光液 接触机制 协同机理 
功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展被引量：6
《电子元件与材料》2022年第1期9-18,共10页徐恒一 徐红艳 臧丽坤 徐菊 
随着电力电子器件向着更高功率密度、更小体积和更高集成度等方向发展,特别是第三代半导体SiC和GaN功率芯片的应用,研究满足高功率密度、高工作电压、耐高温的功率器件封装用互连材料成为近年来的重要课题,开发低温连接、高温服役的高...
关键词：低温烧结 电子封装 综述 无铅互连 铜基浆料 接头性能 
用于不同体态芯片互连的凸点制备及性能表征被引量：2
《固体电子学研究与进展》2021年第2期87-92,共6页陈聪 李杰 姜理利 吴璟 张岩 郁元卫 黄旼 朱健 
随着轻量化、小型化及模块功能多样化的发展,由二维平面到三维高度上的先进封装技术应运而生。微凸点作为实现芯片到圆片异构集成的关键结构,可有效缩短信号传输距离,提升芯片性能。利用电沉积法在Si基板上以Cu作支撑层、Ni作阻挡层淀...
关键词：3D封装 微凸点 电沉积 Au/Sn 
用于大面积芯片互连的纳米银膏无压烧结行为被引量：9
《焊接学报》2021年第1期83-90,I0007,共9页吴炜祯 杨帆 胡博 李明雨 
文中采用化学还原法制备出一种可以用于低温烧结的纳米银膏,通过对低温无压烧结纳米银焊点的组织结构、力学性能和失效模式进行了分析,系统地讨论了无压烧结焊点中烧结银组织的渐进性组织演变规律,获得了互连焊点尺寸对烧结银连接性能...
关键词：纳米银膏 无压烧结 大面积 力学性能 组织演变 
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