刘辉

作品数：4被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：微电子机械系统HEMT开关功率放大器芯片氮化硅薄膜更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
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GaN HEMT开关器件小信号模型被引量：2
《半导体技术》2018年第6期443-448,455,共7页张宗敬 雷天民 刘辉 张杰 耿苗 罗卫军 
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 开关 小信号模型 本征参数 误差因子 
X波段GaN基小相位移相器设计被引量：1
《半导体技术》2018年第4期255-259,共5页刘辉 孙朋朋 张宗敬 罗卫军 
基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小...
关键词：移相器 低通开关滤波网络 GAN HEMT X波段 功率器件 
高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1
《微电子学与计算机》2017年第11期94-98,共5页张蓉 马晓华 罗卫军 刘辉 孙朋朋 耿苗 
国家自然科学基金(61334002)
在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al_2O_3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提...
关键词：增强型 GaN MIS-HEMTs 电容-电压(C-V) 功率 
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